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碳化硅SiC能夠以高頻肖特基勢壘二極管SBD結構的實現600V以上的高耐壓快恢復二極管（硅Si的SBD最高耐壓僅為200V左右），其導通壓降比硅Si快恢復二極管低很多，關斷恢復時間小，關斷損耗低，產生的電磁干擾EMI小。采用SiC-SBD替換現在主流產品硅Si 快恢復二極管FRD，可大幅度減少總損耗，提高電源的效率，并且通過高頻工作實現電感電容等無源器件的小型化，而且電磁干擾EMI更低。碳化硅SBD可廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的逆變器、電動汽車的電機拖動系統及快速充電器等。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL12040B.pdf | SL12040B | - |
| SL12030B.pdf | SL12030B | - |
| SL12020B.pdf | SL12020B | - |
| SL12015B.pdf | SL12015B | - |
| SL12010B.pdf | SL12010B | - |
| SL12005B.pdf | SL12005B | - |
